Сибирский федеральный университет

Перевод названия: METHOD DETERMINING POLAR FACES OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS

Тип публикации: патент

Год издания: 1998

Аннотация: p num="11"Использование: в технологии получения полупроводниковых материалов для определения полярных граней полупроводниковых соединений типа AIIIBV (GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb) и в частности при ориентации монокристаллических слитков и пластин. Сущность изобретения: фотографируют каплю раствора на каждой грани монокристалла полупроводникового соединения, затем обмеряют краевые углы смачивания и сравнивают их между собой. По абсолютной величине углов определяют грани (III)A и (III)B. 1 табл./p p num="12"FIELD: semiconductor technology. SUBSTANCE: invention refers to manufacture of semiconductor materials for determination of polar faces of semiconductor compounds of type AIIIBV ( GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb ) and to orientation of monocrystalline ingots and plates. Drop of solution is photographed on each face of monocrystal of semiconductor compound, then edge wetting angles are measured and compared. Faces (III)A and (III)B are determined by absolute values of these angles. EFFECT: enhanced authenticity of method. 1 tbl/p

• Денисов В.М.
• Овчинникова Т.Ю.
• Бахвалов С.Г.

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)