СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛЯРНЫХ ГРАНЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ

Перевод названия: METHOD DETERMINING POLAR FACES OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS

Тип публикации: патент

Год издания: 1998

Аннотация: p num="11"Использование: в технологии получения полупроводниковых материалов для определения полярных граней полупроводниковых соединений типа AIIIBV (GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb) и в частности при ориентации монокристаллических слитков и пластин. Сущность изобретения: фотографируют каплю раствора на каждой грани монокристалла полупроводникового соединения, затем обмеряют краевые углы смачивания и сравнивают их между собой. По абсолютной величине углов определяют грани (III)A и (III)B. 1 табл./p

Ссылки на полный текст

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.