СПОСОБ ЛАЗЕРНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКИ

Перевод названия: METHOD FOR LASER METALLIZATION OF INSULATING SUBSTRATE

Тип публикации: патент

Год издания: 2002

Аннотация:

Изобретение относится к электротехнике, в частности к проводящим покрытиям на диэлектрических подложках, которые используются в микроэлектронных устройствах и, в частности в гибридных интегральных схемах СВЧ-диапазона. Техническим результатом изобретения является упрощение технологического процесса получения проводящего покрытия высокой химической чистоты на диэлектрике, увеличение прочности сцепления покрытия с подложкой, а также его плотности. Технический результат достигается за счет того, что в способе лазерной металлизации диэлектрической подложки, основанном на обработке поверхности подложки лазерным лучом, новым является то, что в качестве диэлектрика используются бораты меди CuB2O4 и Cu3В2О6 в монокристаллическом состоянии и стекло состава CuО-В2О3 и диэлектрическую подложку обрабатывают лазерным излучением в атмосфере продуктов сгорания углеводородов. Новым в способе является и то, что размер области металлизации диэлектрической подложки задают размером пятна лазерного излучения, а толщину слоя меди регулируют мощностью и продолжительностью воздействия лазерного излучения. 1 з. п. ф-лы, 1 ил.<img src="/get_item_image.asp?id=37885639&img=00000001.TIF" class="img_big">

Ссылки на полный текст

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.