ТУННЕЛЬНЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ | Научно-инновационный портал СФУ

ТУННЕЛЬНЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Перевод названия: TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT

Тип публикации: патент

Год издания: 2010

Аннотация: p num="20"Туннельный магниторезистивный элемент относится к микроэлектронике, а именно к элементной базе спинтроники - новой области развития современной электроники, поскольку в его работе используются механизмы спин-зависимого электронного транспорта, и может быть использован при создании принципиально новых элементов, предназначенных для хранения, обработки и передачи информации. В туннельном магниторезистивном элементе, содержащем подложку с двумя ферромагнитными проводящими слоями, разделенными тонким слоем диэлектрика, токовые контакты крепятся к верхнему ферромагнитному слою структуры, который имеет проводимость, меньшую, чем проводимости нижнего слоя, а магниторезистивный эффект реализуется за счет переключения токового канала между слоями с различной проводимостью, управляемого воздействием магнитного поля на магнитные туннельные переходы под токовыми контактами. Изобретение обеспечивает реализацию большой величины магниторезистивного (МР) эффекта в туннельной структуре при использовании СЕР (current in plane) геометрии, когда ток параллелен плоскости интерфейсов слоистой структуры и в возможность эффективного управления величиной МР эффекта током смещения, протекающим через структуру. 5 ил.img file="00000004.JPG" he="34" wi="50" img-format="jpg" img-content="drawing" //p p num="21"FIELD: physics, semiconductors./p p num="22"SUBSTANCE: tunnel magnetoresistive element relates to microelectronics and specifically to spintronic hardware components - a new area in development of modern electronics, since its operation employs a spin-dependant electron transport mechanism and can be used in making conceptually new elements designed for storing, processing and transmitting information. In the tunnel magnetoresistive element which has a substrate with two ferromagnetic conducting layers separated by a thin dielectric layer, current contacts are attached to the top ferromagnetic layer of the structure whose conductivity is less than conductivity of the bottom layer and the magnetoresistive effect is realised by switching the current channel between layers with different conductivity controlled by effect of the magnetic field on magnetic tunnel junctions under the current contacts./p p num="23"EFFECT: invention enables realisation of a large amount of magnetoresistive (MR) effect in a tunnel structure using current in plane (CEP) geometry when current is parallel the plane of interfaces of the layered structure and possibility of efficiently controlling the value of MR effect using bias current flowing through the current./p p num="24"5 dwg, 1 ex /p

Ссылки на полный текст

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.