Сибирский федеральный университет

Перевод названия: DEVICE TO MEASURE ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTORS BY CONTACTLESS UHF METHOD

Тип публикации: патент

Год издания: 2011

Аннотация:

Изобретение относится к измерительной технике, применяемой для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения сверхвысокой частоты (СВЧ), и может быть применено для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах и слитках бесконтактным СВЧ методом. Повышение точности измерений времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках бесконтактным СВЧ методом является техническим результатом изобретения. Предложенное устройство с управляемыми СВЧ блоком, измерительным блоком, СВЧ резонатором, блоком автоматической калибровки и измерения с применением компьютера содержит СВЧ резонатор, который выполнен в виде диэлектрической подложки, с одной стороны которой, полностью металлизированной и являющейся экраном, закреплен лазерный диод, а на другой стороне расположен полосковый проводник, свернутый таким образом, что его противоположные концы сведены вместе через зазор, между концами полоскового проводника выполнено сквозное отверстие, через которое проходит излучение лазерного диода. 2 ил.<img src="/get_item_image.asp?id=37478062&img=00000001.TIF" class="img_big">

FIELD: physics.

SUBSTANCE: invention relates to using probing electromagnetic UHF-radiation for defining lifetime of nonequilibrium charge carriers in semiconductor plates and ingots by contactless UHF method. Proposed device with controlled UHF unit, measuring unit, UHF resonator, automatic computer-aided calibration and measurement unit includes UHF resonator made up of dielectric substrate with laser diode secured on its one completely metallised shield side and strip conductor made on its opposite side and coiled so that its opposite ends are passed together through gap. Note that through hole is made between said ends for laser diode beam to pass there through.

EFFECT: higher accuracy of measurement.

2 dwg

• Владимиров Валерий Михайлович
• Марков Владимир Витальевич
• Мартыновский Владимир Николаевич
• Шепов Владимир Николаевич

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)