Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2014
Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано распределение дислокационных петель по размерам в полупроводниках CdTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, CdS, GaAs, Si и Ge. Экспериментальные результаты сравниваются с теоретическими расчетами критических радиусов перехода частичных дислокационных петель в полные с учетом энергии образования дислокационных петель и энергии дефекта упаковки материалов. Показано, что критический радиус зависит от энергии дефекта упаковки и является важной характеристикой при анализе процессов дефектообразования в полупроводниках.
Издание
Журнал: Физика твердого тела
Выпуск журнала: Т. 56, № 4
Номера страниц: 692-694
ISSN журнала: 03673294
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"
Персоны
- Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия)
- Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)
- Брильков А.В. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.