Сибирский федеральный университет

Перевод названия: COMPUTER SIMULATION OF THE STRUCTURAL DEFECTS FORMATION IN CADMIUM TELLURIDE

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2018

Ключевые слова: теллурид кадмия, полупроводниковые материалы, численное моделирование, дислокационные петли, Cadmium telluride, semiconductor materials, computer simulation, Dislocation loops

Аннотация: Методами компьютерного моделирования изучено образование междоузельных атомов и вакансий, а также их кластеров в виде дислокационных петель и пор в теллуриде кадмия при облучении электронами. Зависимости радиусов дислокационных петель и пор были рассчитаны в зависимости от времени облучения. Результаты моделирования сравниваются с экспериментальными данными об облучении CdTe в просвечивающем электронном микроскопе. The formation of interstitial atoms and vacancies has been conducted, as well as their clusters in the form of dislocation loops and voids in cadmium telluride under irradiation by electrons, has been carried out. The dependences of the radii of dislocation loops and voids have been calculated depending on the irradiation time. The results of the simulation are being compared with the experimental data on the irradiation of CdTe in a transmission electron microscope.

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, № 22

Номера страниц: 534-535

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева

• Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева)
• Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)
• Паклин Н.Н. (Сибирский федеральный университет)
• Брильков А.В. (Сибирский федеральный университет)

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)