Численное моделирование процессов образования структурных дефектов в теллуриде кадмия : научное издание

Перевод названия: COMPUTER SIMULATION OF THE STRUCTURAL DEFECTS FORMATION IN CADMIUM TELLURIDE

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2018

Ключевые слова: теллурид кадмия, полупроводниковые материалы, численное моделирование, дислокационные петли, Cadmium telluride, semiconductor materials, computer simulation, Dislocation loops

Аннотация: Методами компьютерного моделирования изучено образование междоузельных атомов и вакансий, а также их кластеров в виде дислокационных петель и пор в теллуриде кадмия при облучении электронами. Зависимости радиусов дислокационных петель и пор были рассчитаны в зависимости от времени облучения. Результаты моделирования сравниваются с экспериментальными данными об облучении CdTe в просвечивающем электронном микроскопе.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, 22

Номера страниц: 534-535

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)
  • Паклин Н.Н. (Сибирский федеральный университет)
  • Брильков А.В. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.