Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2018
Идентификатор DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45456.8529
Аннотация: Выращены однородные монокристаллы твердых растворов Ge-Si с содержанием кремния от 0.2 до 0.8 ат%, легированные сурьмой. Методом инфракрасной фурье-спектроскопии в интервале температуры от 25 до 60oС на длине волны 10.6 мкм исследовано оптическое поглощение монокристаллов с удельным электрическим сопротивлением 2-3 Ом·см. Установлено, что при введении кремния в Ge возрастает температурная стабильность оптических свойств кристаллов.
Издание
Журнал: Физика и техника полупроводников
Выпуск журнала: Т. 52, № 2
Номера страниц: 276-279
ISSN журнала: 00153222
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Персоны
- Шиманский А.Ф. (Сибирский федеральный университет, 660047 Красноярск, Россия)
- Павлюк Т.О. (Акционерное общество "Германий", 660027 Красноярск, Россия)
- Копыткова С.А. (Акционерное общество "Германий", 660027 Красноярск, Россия)
- Филатов Р.А. (Сибирский федеральный университет, 660047 Красноярск, Россия)
- Городищева А.Н. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, 660037 Красноярск, Россия)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.