Сибирский федеральный университет 
Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: Современные проблемы радиоэлектроники; Красноярск; Красноярск
Год издания: 2017
Аннотация: Представлены результаты приборно-технологического моделирования TSG FINFET-транзистора с учетом проектных норм технологических процессов 32 и 10 нм. Проведено исследование влияния конструктивно-технологических параметров данного типа транзистора на его электрические характеристики с целью выявления дальнейшего вектора развития FINFET-технологии.
Издание
Журнал: Современные проблемы радиоэлектроники
Номера страниц: 492-495
Издатель: Сибирский федеральный университет
Персоны
- Ануфриев И.И. (Сибирский федеральный университет)
- Семенова Ольга Васильевна (Сибирский федеральный университет)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.