Electron transport in a slot-gate Si MOSFET

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2008

Идентификатор DOI: 10.1209/0295-5075/82/47001

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: EPL

Выпуск журнала: Т.82, 4

Номера страниц: 47001

ISSN журнала: 02955075

Издатель: Institute of Physics and IOP Publishing Limited

Авторы

  • Shlimak I. (Jack and Pearl Resnick Institute of Advanced Technology,Department of Physics,Bar-Ilan University)
  • Ginodman V. (Jack and Pearl Resnick Institute of Advanced Technology,Department of Physics,Bar-Ilan University)
  • Butenko A. (Jack and Pearl Resnick Institute of Advanced Technology,Department of Physics,Bar-Ilan University)
  • Friedland K.J. (Paul-Drude Institut für Festkörperelektronik)
  • Kravchenko S.V. (Physics Department,Northeastern University)

Вхождение в базы данных

  • РИНЦ (eLIBRARY.RU) (цитирований 4)
  • Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
  • Web of Science Core Collection
  • Scopus

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.