Учет явления токовой неустойчивости при моделировании ВАХ MESFET-транзисторов на GaAs : доклад, тезисы доклада | Научно-инновационный портал СФУ

Учет явления токовой неустойчивости при моделировании ВАХ MESFET-транзисторов на GaAs : доклад, тезисы доклада

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ; Красноярск; Красноярск

Год издания: 2012

Аннотация: Показана возможность учета явления токовой неустойчивости (эффекта Ганна и отрицательной дифференциальной проводимости-ОДП) в простой нелинейной модели MESFET-транзистора с коротким затвором (1мкм) путем использования аппроксимации Тима для полескоростной характеристики носителей заряда в GaAs. Приведен поперечный разрез анализируемого MESFET-транзистора и результат моделирования его вольт-амперной характеристики.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Современные проблемы радиоэлектроники

Номера страниц: 333-337

Издатель: Сибирский федеральный университет

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.