Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ; Красноярск; Красноярск
Год издания: 2012
Аннотация: Показана возможность учета явления токовой неустойчивости (эффекта Ганна и отрицательной дифференциальной проводимости-ОДП) в простой нелинейной модели MESFET-транзистора с коротким затвором (1мкм) путем использования аппроксимации Тима для полескоростной характеристики носителей заряда в GaAs. Приведен поперечный разрез анализируемого MESFET-транзистора и результат моделирования его вольт-амперной характеристики.
Издание
Журнал: Современные проблемы радиоэлектроники
Номера страниц: 333-337
Издатель: Сибирский федеральный университет
Персоны
- Дранишников Александр Сергеевич (Сибирский федеральный университет)
- Копылова Н.А. (Сибирский федеральный университет)
- Копылов Алексей Филиппович (Сибирский федеральный университет)
- Алексеева Н.А. (Сибирский федеральный университет)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.