Формирование пористых структур на кремнии с сегнетоэлектриком для элементов микроэлектроники и микросистемной техники емкостного типа

Перевод названия: Formation of porous structures on silicon with ferroelectric intended for components of microelectronics and capacitance type microsystem devices

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2017

Ключевые слова: пористые структуры на кремнии, электрохимическая обработка, сегнетоэлектрик, экстракционно-пиролитический метод, гетероструктуры на пористом кремнии с титанатом бария, porous silicon structure, electrochemical treatment, ferroelectric, extraction-pyrolytic method, heterostructure, porous silicon, barium titanate

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований процесса формирования гетероструктур на основе пористого кремния с титанатом бария для элементов электроники и микросистемной техники емкостного типа. Изучена зависимость емкости и диэлектрической проницаемости от размерности пористой матрицы, количества наносимых слоев титаната бария, материала обкладок конденсаторной структуры.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Химическая технология

Выпуск журнала: 10

Номера страниц: 443-449

ISSN журнала: 16845811

Место издания: Москва

Издатель: Общество с ограниченной ответственностью "Наука и технологии"

Авторы

  • Семенова О.В. (Сибирский федеральный университет)
  • Раилко М.Ю. (Сибирский федеральный университет)
  • Патрушева Т.Н. (Сибирский федеральный университет)
  • Меркушев Ф.Ф. (Сибирский федеральный университет)
  • Подорожняк С.А. (Сибирский федеральный университет)
  • Юзова В.А. (Сибирский федеральный университет)
  • Корец А.Я. (Сибирский федеральный университет)
  • Холькин А.И. (Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.