Моделирование ВАХ MESFET-транзисторов на GaAs с токовой неустойчивостью с использованием метода треугольников Гаусса : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

Моделирование ВАХ MESFET-транзисторов на GaAs с токовой неустойчивостью с использованием метода треугольников Гаусса : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Ключевые слова: эффект Ганна, полевой транзистор с затвором Шоттки (MESFET)

Аннотация: В работе показана возможность учета явления токовой неустойчивости (эффекта Ганна и отрицательной дифференциальной проводимости - ОДП) в простой нелинейной модели MESFET-транзистора с коротким затвором (1мкм) путем применения аппроксимации Тима для полескоростной характеристики носителей заряда в GaAs и при использовании «метода треугольников Гаусса» (АСМДУДН). Показана конструкция анализируемого MESFET-транзистора и результат моделирования его вольт-амперной характеристики.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Южно-Сибирский научный вестник

Выпуск журнала: 2

Номера страниц: 123-127

ISSN журнала: 23041943

Место издания: Бийск

Издатель: Общество с ограниченной ответственностью Малое инновационное предприятие Политех

Авторы

  • Копылов Алексей Филиппович (Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ)
  • Копылова Наталья Алексеевна (Муниципальное учреждение дополнительного образования детей)
  • Алистрат Алексей Альбертович (Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ)
  • Алистрат Александр Альбертович (Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.