Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2004

Аннотация: В рамках зонного подхода с использованием гауссового типа орбиталей и приближения обобщенного градиента плотности рассчитана полная плотность электронных состояний идеальной и ряда возможных дефектных структур одностенной углеродной нанотрубки (14,0). Было показано, что введение дефектов в идеальную атомную структуру нанотрубки позволяет удовлетворительно описать существующие экспериментальные данные по электронной структуре нанотрубки. В рамках этого же подхода рассчитана полная плотность электронных состояний межмолекулярного контакта (5,5) и (10,0) одностенных углеродных нанотрубок, сформированного за счет образования 5-7 дефекта. Показано, что электронные состояния, относящиеся к области контакта и 5-7 дефекту, локализованы в области уровня Ферми. Работа поддержана Nanoscale Science and Engineering Initiative of the National Science Foundation, award number EEC-0118007 (Rice CBEN), и Welch Foundation.

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т. 46, № 6

Номера страниц: 1132-1136

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

• Аврамов П.В. (Center for Biological and Environmental Nanotechnology, Rice University, Houston, Texas 77005-1892, USA)
• Якобсон Б.И. (Center for Biological and Environmental Nanotechnology, Rice University, Houston, Texas 77005-1892, USA)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК