Possibility of a 2D SiC monolayer formation on Mg(0001) and MgO(111) substrates

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Идентификатор DOI: 10.1134/S0036024413080141

Ключевые слова: silicon carbide monolayer, density functional theory, density functional theory, silicon carbide monolayer, Carbon atoms, Geometrical characteristics, MgO, Monolayer formation, Potential materials, Density functional theory, Magnesia, Monolayers, Silicon carbide, Substrates, Two dimensional

Аннотация: The geometrical characteristics of a 2D SiC monolayer on Mg(0001) and MgO(111) plates regarded as potential materials for growing two-dimensional silicon carbide were studied. The most favorable positions of the atoms of 2D SiC on the substrates were determined. In the 2D SiC/Mg(0001) system, unlike in 2D SiC/MgO(111), the deviation of the carbon atom from the silicon carbide monolayer was insignificant (0.08 ). Consequently, magnesium can be used as a substrate for growing two-dimensional silicon carbide. The use of MgO(111) is not recommended because of a significant distortion of the 2D SiC surface.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: RUSSIAN JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A

Выпуск журнала: Vol. 87, Is. 8

Номера страниц: 1332-1335

ISSN журнала: 00360244

Место издания: NEW YORK

Издатель: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER

Авторы

  • Kuzubov A.A. (Siberian State University of Technology)
  • Eliseeva N.S. (Siberian Federal University)
  • Tomilin F.N. (Kirenskii Institute of Physics,Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
  • Tolstaya A.V. (Siberian Federal University)
  • Krasnov P.O. (Siberian State University of Technology)
  • Fedorov A.S. (Kirenskii Institute of Physics,Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.