Издание
Журнал: Semiconductors
Выпуск журнала: Т. 49, № 4
Номера страниц: 423-427
ISSN журнала: 10637826
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд)
Персоны
- Parshin A.S. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
- Igumenov A.Y. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
- Mikhlin Y.L. (Institute of Chemistry and Chemical Technology, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)
- Pchelyakov O.P. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)
- Nikiforov A.I. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)
- Timofeev V.A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.