On the fine structure of spectra of the inelastic-electron-scattering cross section and the Si surface parameter

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Идентификатор DOI: 10.1134/S106378261504017X

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Semiconductors

Выпуск журнала: Т.49, 4

Номера страниц: 423-427

ISSN журнала: 10637826

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд)

Авторы

  • Parshin A.S. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
  • Igumenov A.Y. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
  • Mikhlin Y.L. (Institute of Chemistry and Chemical Technology, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)
  • Pchelyakov O.P. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)
  • Nikiforov A.I. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)
  • Timofeev V.A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.