Strong Electron Correlations Determine the Stability and Properties of Er-doped Silicon Quantum Dots

Перевод названия: Эффект сильных электронных корреляций, определяющий стабильность и свойства Er-легированных кремниевых квантовых точек

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Ключевые слова: теория функционала плотности (DFT), Er/Si-кластеры, DFT, Er/Si clusters, quantum dots, electronic structure, Energetic stability, Strong electron correlations, квантовые точки, электронная структура, энергетическая стабильность, сильная электронная корреляция

Аннотация: The electronic structure of the Goldberg silicon quantum dots with central symmetric hollows and their endohedral complexes with erbium was studied using DFT with and without the strong electron correlations, whose inclusion was found to determine the binding energy. Based on optimized DFT structures, we were able to explain the details of Er-doped nanocrystalline silicon made in experiment. The role of symmetry of the central hollows in quantum dots was elucidated, and the key features of the density of states are explained, providing information for the tuning and design of Er-doped silicon light emitters.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Journal of Siberian Federal University. Серия: Химия

Выпуск журнала: Т.3, 1

Номера страниц: 12-19

ISSN журнала: 19982836

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Сибирский федеральный университет

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.