Model of mode-locked quantum-well semiconductor laser based on InGaAs/InGaAlAs/InP heterostructure

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Идентификатор DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012079

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Journal of Physics: Conference Series

Выпуск журнала: Т.741, 1

Номера страниц: 012079

ISSN журнала: 17426588

Издатель: Institute of Physics and IOP Publishing Limited

Авторы

  • Rybalko D.A. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University)
  • Efremov A.A. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University)
  • Bougrov V.E. (ITMO University)
  • Polukhin I.S. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University)
  • Solov'Ev Y.V. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University)
  • Mikhailovskiy G.A. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University)
  • Odnoblyudov M.A. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University)
  • Gubenko A.E. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University)
  • Livshits D.A. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University)
  • Firsov A.N. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University)
  • Kirsyaev A.N. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.