Исследование особенностей роста эпитаксиальных пленок Fe3Si, выращенных на Si(111) : научное издание

Перевод названия: Investigation of The characteristics of Fe3Si epitaxial FILMS grown on Si(111) substrates

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: ферромагнитный силицид Fe3Si, молекулярно-лучевая эпитаксия, просвечивающая электронная микроскопия, дифракция в сходящемся пучке, ferromagnetic silicide Fe3Si, molecular beam epitaxy, transmission electron microscopy, diffraction in a convergent beam

Аннотация: Представлены результаты структурных исследований эпитаксиальных пленок ферромагнитного силицида Fe3Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на атомарно чистой поверхности Si(111)7?7 при температуре подложки 150 °С. Активное исследование эпитаксиальных металлических пленок на кремнии вызвано необходимостью увеличения быстродействия, уменьшения размеров и повышения энергоэф- фективности устройств микроэлектроники, в том числе используемых в автоматических космических аппаратах. Исследование пленок ферромагнитных силицидов связано с производством наноматериалов для фотоники, микросистемной техники и устройств памяти, что тесно связано с развитием нового направления спиновой электроники, поскольку силициды железа сочетают в себе ферромагнитные и полупроводниковые свойства. Также силицид железа Fe3Si имеет гранецентрированную кубическую структуру и малый параметр рассогасования кристаллической решетки с кремниевой (4,2 %) и германиевой (0,5 %) подложками, что позволяет выращивать монокристаллические пленки Fe3Si в направлении 111. Методами дифракции электронов изучена структура пленок, которая идентифицирована как монокристаллическая пленка Fe3Si(111), определена толщина и шероховатость пленки, рассчитан угол поворота кристаллической решетки между пленкой Fe3Si и Si-подложкой. Полученные данные необходимы для разработки рекомендаций по улучшению технологии выращивания эпитаксиальных пленок ферромагнитных силицидов.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: Т. 17, 3

Номера страниц: 792-796

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Волочаев М.Н. (Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН)
  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.