ТУННЕЛЬНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И СПЕКТРОСКОПИЯ ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОНОВ SiO 2

Перевод названия: TUNNELING SPECTROSCOPY AND ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY IN SiO 2

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Ключевые слова: silicon dioxide, Scanning tunneling spectroscopy, Electron energy loss spectroscopy, диоксид кремния, сканирующая туннельная спектроскопия, спектроскопия характеристических потерь энергии электронов

Аннотация: Для развития ракетно-космической отрасли необходимо внедрение наноматериалов и устройств наноэлектроники. При характеризации полупроводниковых и диэлектрических наноматериалов одним из наиболее значимых параметров является величина ширины запрещённой зоны. В данной работе ширина запрещённой зоны SiO 2 была измерена с помощью сканирующей туннельной спектроскопии и спектроскопии потерь энергии отражённых электронов.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т.1, 19

Номера страниц: 519-520

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Зайкова К.Н. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Игуменов А.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии СО РАН)
  • Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.