ТУННЕЛЬНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И СПЕКТРОСКОПИЯ ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОНОВ SiO 2 : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

ТУННЕЛЬНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И СПЕКТРОСКОПИЯ ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОНОВ SiO 2 : научное издание

Перевод названия: TUNNELING SPECTROSCOPY AND ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY IN SiO 2

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Ключевые слова: silicon dioxide, Scanning tunneling spectroscopy, Electron energy loss spectroscopy, диоксид кремния, сканирующая туннельная спектроскопия, спектроскопия характеристических потерь энергии электронов

Аннотация: Для развития ракетно-космической отрасли необходимо внедрение наноматериалов и устройств наноэлектроники. При характеризации полупроводниковых и диэлектрических наноматериалов одним из наиболее значимых параметров является величина ширины запрещённой зоны. В данной работе ширина запрещённой зоны SiO 2 была измерена с помощью сканирующей туннельной спектроскопии и спектроскопии потерь энергии отражённых электронов. The integration of nanomaterials and nanoelectronic devices is necessary to develop the space industry. The band gap determination is one of the most important objects in the characterization of semiconducting and dielectric nanomaterials. In this paper, the band gap of SiO 2 is determined using a scanning tunneling spectroscopy and electron energy loss spectroscopy.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, 19

Номера страниц: 519-520

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Зайкова К.Н. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Игуменов А.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии СО РАН)
  • Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.