ОБРАЗОВАНИЕ ПРИМЕСНЫХ ВЫДЕЛЕНИЙ В ЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ ZnSe

Перевод названия: Precipitates formation in ZnSe doped single crystals

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: селенид цинка, полупроводниковые материалы, просвечивающая электронная микроскопия, zinc selenide, semiconductor materials, transmission electron microscopy

Аннотация: Исследованы особенности дефектообразования в легированных и нелегированных монокристаллах ZnSe. Установлено, что при отжиге в легированных полупроводниках образуются примесные выделения на ростовых дислокациях и дефектах упаковки, при этом происходит перемещение дислокаций. Образование примесных выделений (преципитатов) на ростовых дефектах объясняется миграцией примесей и точечных дефектов на дислокации с формированием пересыщенного твердого раствора, который конденсируется в виде преципитатов, содержащих легирующую примесь.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, 20

Номера страниц: 592-593

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.