Формирование сквозных структур с различной пористостью на толстых пластинах монокристаллического кремния | Научно-инновационный портал СФУ

Формирование сквозных структур с различной пористостью на толстых пластинах монокристаллического кремния

Перевод названия: Formation of Cross-Cutting Structures with Different Porosity on Thick Silicon Wafers

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Идентификатор DOI: 10.17073/1609-3577-2014-1-8-12

Ключевые слова: porous silicon, electrochemical, microfuel element, membrane-electrode unit, пористый кремний, электрохимическое травление, микротопливный элемент, мембранно-электродный блок

Аннотация: Электрохимическим травлением в растворах концентрированной плавиковой кислоты получены сквозные трехслойные структуры двух типов на пластинах монокристаллического кремния толщиной 500 мкм без применения дополнительных операций удаления монокристаллических слоев. Сквозная структура первого типа содержит крайние два слоя макропористого кремния толщиной 220-247,5 мкм с диаметром пор 7-10 мкм и средний слой мезопористого кремния толщиной 5-60 мкм с диаметром пор от 100 до 150 нм. Сквозная структура второго типа состоит из слоев макропористого кремния толщиной 250 мкм, смыкающихся в глубине пластины кремния посередине с образованием полостей размером 4-8 мкм. Разработана технология, которая позволяет более просто и надежно формировать монолитный каркас мембранно-электродного блока микротопливного элемента. Through three-layered structure has been formed on silicon wafers 500 microns thick by electrochemical etching in a solution of hydrofluoric acid without using additional deletions monocrystalline layers. The resulting structures are divided into two types. The first type pass-through structure comprises two outermost macroporous silicon layers 220-247,5 microns thick with a pore diameter 7-10?microns and an average mesoporous silica layer 5-60 microns thick with a pore diameter of 100-150 nm. The second type pass-through structure includes macroporous silicon layer 250 microns in thickness, interlocking in the depth of the silicon wafer to form a cavity the size of 4-8 microns. The developed technology will allow forming monolithic structures of membrane-electrode assembly microfuel elements in an easier and more reliable manner.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Выпуск журнала: Т. 17, 1

Номера страниц: 8-12

ISSN журнала: 16093577

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.