ВЛИЯНИЕ АТОМОВ ПРИМЕСИ НА СКОРОСТЬ ДИФФУЗИИ ЛИТИЯ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ

Перевод названия: INFLUENCE OF IMPURITIES ON RATE OF DIFFUSION OF LITHIUM IN CRYSTAL SILICON

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Ключевые слова: литий, Lithium-ion accumulators, silicon, ab initio calculations, diffusion, литий-ионные аккумуляторы, кремний, первопринципные расчеты, диффузия

Аннотация: Квантово-химическим методом DFT исследовано влияние атомов примесей (Al, B, C, Ge, P) на скорость диффузии лития в кристаллическом кремнии. Для этого произведен расчет величин потенциальных барьеров для переходов атома лития между потенциальными минимумами вблизи атомов примеси. Показано, что наличие атомов Al и Ge вблизи атома лития снижает высоту энергии перехода на 0,02-0,07 эВ, а присутствие атомов углерода или бора увеличивает энергию перехода на 0,14-0,17 эВ. При этом атомы фосфора не вносят существенного вклада в величину энергии перехода. Вычисленные коэффициенты диффузии показывают, что внесение примесных атомов Al и Ge в кремний ускоряет диффузию лития в ~4 раза при Т = 300 К.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: 3

Номера страниц: 146-150

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.