Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2012
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.
Издание
Журнал: Письма в Журнал технической физики
Выпуск журнала: Т. 38, № 1
Номера страниц: 27-36
ISSN журнала: 03200116
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука
Персоны
- Терещенко О.Е. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
- Варнаков С.Н. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
- Рауцкий М.В. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
- Волков Н.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск)
- Овчинников С.Г. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
- Латышев А.В. (Новосибирск Новосибирский государственный университет)
- Паулиш А.Г. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
- Неклюдова М.А. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
- Шамирзаев Т.С. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
- Ярошевич А.С. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
- Просвирин И.П. (Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск)
- Жаксылыкова И.Э. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
- Дмитриев Д.В. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
- Торопов А.И. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.