Layer-by-Layer Analysis of the Thickness Distribution of Silicon Dioxide in the Structure SiO2/Si(111) by Inelastic Electron Scattering Cross-Section Spectroscopy : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Идентификатор DOI: 10.1134/S1063782616030179

Журнал: Semiconductors

Выпуск журнала: Т. 50, № 3

Номера страниц: 339-344

ISSN журнала: 10637826

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд)

Parshin A.S. (Siberian State Aerospace University)
Kushchenkov S.A. (Siberian State Aerospace University)
Pchelyakov O.P. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics)
Mikhlin Y.L. (Institute of Chemistry and Chemical Technology,Russian Academy of Sciences,Siberian Branch)

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.