Layer-by-Layer Analysis of the Thickness Distribution of Silicon Dioxide in the Structure SiO2/Si(111) by Inelastic Electron Scattering Cross-Section Spectroscopy

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Идентификатор DOI: 10.1134/S1063782616030179

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Semiconductors

Выпуск журнала: Т.50, 3

Номера страниц: 339-344

ISSN журнала: 10637826

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд)

Авторы

  • Parshin A.S. (Siberian State Aerospace University)
  • Kushchenkov S.A. (Siberian State Aerospace University)
  • Pchelyakov O.P. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics)
  • Mikhlin Y.L. (Institute of Chemistry and Chemical Technology,Russian Academy of Sciences,Siberian Branch)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.