Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2020
Идентификатор DOI: 10.1016/j.jpcs.2019.109219
Ключевые слова: Allotrope, DFT, Phonon, Shockley–Queisser limit, Silicon
Аннотация: In the present study, the unit cell parameters and atomic coordinates are predicted for the Pbcm orthorhombic structure of Si(oP32) modification. This new allotrope of silicon is mechanically stable and stable with respect to the phonon states. The electronic structure of Si(oP32) is calculated for LDA and HSE06 optimized structures. The band gap value Eg = 1.361 eV predicted for Si(oP32) is extremely close to the Shockley–Queisser limit and it indicates that the Si(oP32) modification is a promising material for efficient solar cells. The frequencies of Raman and Infrared active vibrations is calculated for allotrope Si(oP32). © 2019 Elsevier Ltd
Издание
Журнал: Journal of Physics and Chemistry of Solids
Выпуск журнала: Vol. 137
Номера страниц: 109219
ISSN журнала: 00223697
Издатель: Elsevier Ltd
Персоны
- Oreshonkov A.S. (RAS, Lab Mol Spect, Kirensky Inst Phys Fed Res Ctr, SB,KSC, Krasnoyarsk 660036, Russia; Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia)
- Roginskii E.M. (Ioffe Inst, Lab Spect Solid State, St Petersburg 194021, Russia)
- Atuchin V.V. (RAS, Inst Semicond Phys, Lab Opt Mat & Struct, SB, Novosibirsk, Russia; Tomsk State Univ, Funct Elect Lab, Tomsk 634050, Russia; Kemerovo State Univ, Dept Res & Dev, Kemerovom 650000, RussiaArticle)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.