Dependence of the critical radius of partial dislocation loops on the stacking fault energy in semiconductors

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Идентификатор DOI: 10.1134/S1063783414040167

Аннотация: The dislocation loop size distribution in semiconductors CdTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, CdS, GaAs, Si, and Ge has been studied using transmission electron microscopy. The experimental results have been compared with theoretical computations of the critical radii of the transition of partial dislocation loops to full ones with allowance for the dislocation loop formation energy and stacking fault energy of the materials. It has been shown that the critical radius depends on the stacking fault energy and is an important characteristic in the analysis of the defect formation processes in semiconductors.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: PHYSICS OF THE SOLID STATE

Выпуск журнала: Vol. 56, Is. 4

Номера страниц: 720-722

ISSN журнала: 10637834

Место издания: NEW YORK

Издатель: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.